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分立半导体
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FZ600R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,056.776
1056.776
5
¥1,036.0292
5180.146
10
¥987.6991
9876.991
25
¥966.9523
24173.8075
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.8 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ600R12KE3HOSA1 SP000100724
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FZ600R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4003-T
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 1.0A 200V
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
5,000:¥0.23052
参考库存:65152
SZMMSZ27T1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN 500MW SPCL
1:¥2.9154
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:61934
3SMBJ5928B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 3.0W 13V
1:¥3.5369
10:¥2.6216
100:¥1.9549
500:¥1.6498
3,000:¥1.13
6,000:查看
参考库存:12211
PDTA143ZQAZ
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTA143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:28213
KSE45H8TU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:5140

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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