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分立半导体
C2M0045170D参考图片

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C2M0045170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
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1
¥670.0448
670.0448
100
¥644.3034
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.7 kV
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 5 V
Qg-栅极电荷
188 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
21.7 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
65 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，C2M0045170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM100GB60DLC
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 600V 100A DUAL
1:¥558.4686
5:¥548.1743
10:¥534.038
25:¥523.5064
参考库存:3908
IPB60R099C6
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.4253
1,000:¥23.8204
2,000:查看
参考库存:10155
SK315A R3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥3.1527
25:¥2.7459
100:¥2.3617
1,800:¥1.1865
3,600:查看
参考库存:12457
KDZTR27B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 27 to 30.8V; 10mA 1000mW
1:¥3.3787
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:16129
BAT54SWT-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200mA 30V
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.91417
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.42262
参考库存:28861

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