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BSM100GB60DLC

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数量单价合计
1
¥558.4686
558.4686
5
¥548.1743
2740.8715
10
¥534.038
5340.38
25
¥523.5064
13087.66
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
130 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
445 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB60DLCHOSA1 SP000100470
单位重量
160 mg
商品其它信息
优势价格，BSM100GB60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF730PBF
Vishay / Siliconix
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10:¥8.2942
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10:¥10.2943
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2,500:¥5.5144
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SMMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
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JFET SS SOT23 JFET XSTR SPCL
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100:¥7.91
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1,000:¥4.859
3,000:¥4.859
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IRFP22N60KPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥62.4664
10:¥56.2514
25:¥51.2568
100:¥46.2622
参考库存:3047

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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