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分立半导体
TSM900N06CH X0G参考图片

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TSM900N06CH X0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
1,875
¥1.3108
2457.75
15,000
¥1.3108
19662
24,375
¥1.2656
30849
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.3 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
5.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM900N06CH X0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
1:¥3.0736
10:¥1.7176
100:¥0.92208
500:¥0.73789
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:33390
分立半导体
高压触发二极管 220V MP Sidac DO15
1:¥12.1362
10:¥9.7632
100:¥7.5145
500:¥6.6444
1,000:¥5.2432
参考库存:33395
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS Comp Dual Trans 200mW 10kOhm
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:52228
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 70 Volt 250mA 6ns 2A IFSM
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:33402
分立半导体
JFET N Ch JFET Engineering Hold
3,000:¥3.9776
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.7064
参考库存:77235
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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