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分立半导体
BZT55B2V7 L1参考图片

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BZT55B2V7 L1

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • 稳压二极管 2.7 Volt 500mW 2%
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.4577
14.577
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.30736
307.36
2,500
¥0.29945
748.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
稳压二极管
RoHS
Vz - 齐纳电压
2.7 V
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Mini-MELF
Pd-功率耗散
500 mW
电压容差
2 %
齐纳电流
10 uA
Zz - 齐纳阻抗
85 Ohms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
配置
Single
测试电流
5 mA
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BZT55B
直径
1.6 mm
长度
3.7 mm
商标
Taiwan Semiconductor
Ir - 反向电流
10 uA
产品类型
Zener Diodes
工厂包装数量
2500
子类别
Diodes & Rectifiers
Vf - 正向电压
1 V
单位重量
29 mg
商品其它信息
优势价格,BZT55B2V7 L1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
1:¥41.7196
10:¥34.578
100:¥28.4308
250:¥27.5833
参考库存:5897
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:5214
分立半导体
MOSFET 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
500:¥16.6788
参考库存:19416
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
参考库存:3988
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:17840
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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