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分立半导体
SIHG33N65E-GE3参考图片

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SIHG33N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:55,005(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7145
52.7145
10
¥47.4826
474.826
25
¥43.2564
1081.41
100
¥39.0302
3903.02
250
¥35.8888
8972.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.6 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
114 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
71 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
32 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG33N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:32811
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:11733
分立半导体
桥式整流器 1.5 Amp 1000 Volt
1:¥5.0737
10:¥4.0906
100:¥3.1075
500:¥2.5651
参考库存:28165
分立半导体
SCR Sen SCR 600V .8A 200uA
1:¥4.3053
10:¥3.2205
100:¥2.3165
500:¥2.034
参考库存:3917
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.5W 20V
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:41964
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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