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分立半导体
SIHG33N65E-GE3参考图片

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SIHG33N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:55,005(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7145
52.7145
10
¥47.4826
474.826
25
¥43.2564
1081.41
100
¥39.0302
3903.02
250
¥35.8888
8972.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.6 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
114 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
71 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
32 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG33N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:13113
分立半导体
MOSFET PMV27UPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥2.7685
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:69050
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 65Vrrm 0.4mA 0.63Vf 140Ifsm SBR
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.9154
参考库存:23467
分立半导体
MOSFET LV POWER MOS
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.6896
1,000:¥5.2771
5,000:¥5.2771
参考库存:13889
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A Dual SBR 100Vrrm 150Ifsm 0.84
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.9097
参考库存:99771
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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