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分立半导体
VS-GB150YG120NT参考图片

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VS-GB150YG120NT

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数量单价合计
10
¥1,336.9369
13369.369
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
4-Pack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
182 A
栅极—射极漏泄电流
440 nA
Pd-功率耗散
892 W
封装 / 箱体
ECONO3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB150YG120NT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥987.2358
2:¥967.8789
5:¥935.6061
10:¥918.7804
参考库存:1484
分立半导体
双向可控硅 RAIL TRIAC
1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
参考库存:19681
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 600VOLT
1:¥4.1471
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.5142
3,000:¥0.95259
9,000:查看
参考库存:39528
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 225mW Dual Common Cathode
1:¥3.5369
10:¥2.6781
100:¥1.4577
1,000:¥1.09158
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:56040
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMA REG 1.5W 6.8V TR
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
5,000:¥1.8306
参考库存:23012
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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