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分立半导体
SQJB68EP-T1_GE3参考图片

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SQJB68EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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库存：19,875(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.7291
57.291
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.5934
1796.7
3,000
¥2.6103
7830.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8.6 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格，SQJB68EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
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APTM20SKM08TG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥640.3823
参考库存:30636

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    50万现货SKU

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