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分立半导体
SIA811ADJ-T1-GE3参考图片

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SIA811ADJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
1,000
¥1.5707
1570.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
116 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
LITTLE FOOT, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SIA811ADJ-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，SIA811ADJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBT3904PNH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:66162
JANTX1N1190
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥566.3899
5:¥542.5695
10:¥533.0436
25:¥499.686
参考库存:2399
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:15211
2SCR543DTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 4A
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:13283
BCR 185S H6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:23520

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    50万现货SKU

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