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BSZ900N15NS3GATMA1参考图片

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BSZ900N15NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存：70,143(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.345
73.45
100
¥5.6387
563.87
500
¥4.9833
2491.65
5,000
¥3.4917
17458.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
74 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
BSZ900N15NS3 BSZ9N15NS3GXT G SP000677866
单位重量
38.250 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ900N15NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZMM5Z16VT5G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.5989
24,000:查看
参考库存:30331
MMSZ4706-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 19 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:30336
GDZ2V4B-HG3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD323-HG3
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
参考库存:30341
DMN2230UQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
2,500:¥0.82264
10,000:¥0.7684
参考库存:55925
AZ23B36-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.3W 2% CA
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
15,000:¥0.3842
参考库存:30348

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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