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分立半导体
ADC124EUQ-13参考图片

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ADC124EUQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9775
19.775
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.56048
560.48
10,000
¥0.37629
3762.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
56
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
270 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
输出电压
0.1 V
商标
Diodes Incorporated
通道模式
Enhancement
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，ADC124EUQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N6301
Microsemi
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达林顿晶体管 Power BJT
1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
25:¥328.9543
参考库存:42033
1N4932
Microsemi
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稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥592.3573
2:¥580.6844
5:¥574.379
10:¥556.4007
参考库存:42038
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:42043
2N1890
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥189.7948
5:¥181.2633
10:¥175.5794
25:¥161.364
参考库存:42048
F4-100R06KL4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK
1:¥878.2021
5:¥862.0657
10:¥823.2615
25:¥795.8364
参考库存:42053

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