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分立半导体

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CGHV27015S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
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数量单价合计
1
¥237.4356
237.4356
250
¥237.4356
59358.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
1.78 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV27015S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:88296
分立半导体
达林顿晶体管 HV DarArray 6, 15V 7Drivers 500mA 250ns
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
5,000:¥1.4577
参考库存:25213
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥30.736
10:¥26.1256
100:¥22.6678
250:¥21.5152
参考库存:6435
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:18557
分立半导体
MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥7.4806
100:¥5.9551
500:¥4.6669
3,000:¥3.3787
6,000:查看
参考库存:74529
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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