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分立半导体
APT15GT120BRDQ1G参考图片

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APT15GT120BRDQ1G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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库存:3,100(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.8614
52.8614
10
¥42.488
424.88
25
¥41.7196
1042.99
100
¥38.7251
3872.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
36 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
36 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
36 A
栅极—射极漏泄电流
480 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT15GT120BRDQ1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 650V IGBT Trenchstop 5
1:¥42.1829
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.4307
参考库存:3343
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:62360
分立半导体
分立半导体模块 POWER DIODE MODULE
1:¥239.9668
10:¥228.599
25:¥223.3784
50:¥218.1465
参考库存:36849
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 70V 250mA 4.5A IFSM Dual Series
1:¥2.0001
10:¥1.6724
100:¥0.70738
500:¥0.59212
3,000:¥0.32996
6,000:查看
参考库存:83282
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 0.5W 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
2,500:¥0.27685
5,000:查看
参考库存:37784
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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