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分立半导体
APT15GT120BRDQ1G参考图片

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APT15GT120BRDQ1G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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数量单价合计
1
¥52.8614
52.8614
10
¥42.488
424.88
25
¥41.7196
1042.99
100
¥38.7251
3872.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
36 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
36 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
36 A
栅极—射极漏泄电流
480 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT15GT120BRDQ1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,50V,DUAL SCHOTTKY Rect
1:¥15.5262
10:¥13.7521
25:¥12.3735
100:¥10.8367
参考库存:50990
分立半导体
整流器 4A, 200V SMC Ultar fast GP
1:¥4.5313
10:¥3.842
100:¥2.8702
500:¥2.1018
1,000:¥1.582
3,000:¥1.4577
参考库存:50995
分立半导体
整流器 Diode, 1A, 100V DO-204AL (DO-41)
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥1.09158
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29945
参考库存:51000
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 10v
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.90626
1,000:¥0.32996
5,000:¥0.29154
参考库存:51005
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 4v7
1:¥1.4577
10:¥1.2317
100:¥0.82264
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.17628
20,000:查看
参考库存:51010
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    50万现货SKU

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