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分立半导体
TK6Q60W,S1VQ参考图片

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TK6Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.30
113
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.91
3955
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
680 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK6Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK6Q60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GBPC5001-G
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 VR=100V IAV=50A
1:¥26.894
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:2241
DZ2422000L
Panasonic
分立半导体
稳压二极管 22V 5% 2W 10mA FLT LD 2.4mm x 4.7mm
3,000:¥1.356
9,000:¥1.2656
24,000:¥1.1978
45,000:¥1.1413
参考库存:2168
GDZ36B-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.2 Watt 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:10175
VS-KBPC810
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 RECOMMENDED ALT 844-KBPC810PBF
1:¥36.4199
10:¥30.1936
100:¥24.8148
200:¥24.0464
参考库存:2287
T483A
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 Power Module
1:¥286.9974
10:¥273.3244
25:¥267.0981
50:¥260.8718
参考库存:2174

  • 海量现货

    50万现货SKU

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