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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-3PN-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	24 A
Rds On-漏源导通电阻	200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	270 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	UniFET
封装	Tube
高度	20.1 mm
长度	16.2 mm
系列	FDA24N50F
晶体管类型	1 N-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	5 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	30 S
下降时间	87 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	105 ns
工厂包装数量	450
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	165 ns
典型接通延迟时间	49 ns
单位重量	6.401 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
1N5249B-TP	Micro Commercial Components (MCC)	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 500mW 19V 600 Ohm 0.1 uA 14 Vr	1:¥1.1526 10:¥0.9379 100:¥0.32996 1,000:¥0.23052 10,000:¥0.14577 20,000:查看	参考库存:53669
RJU003N03T106	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323	1:¥3.1527 10:¥2.0001 100:¥0.86106 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:7666
SPW24N60C3	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3	1:¥47.799 10:¥40.6461 100:¥35.2673 250:¥33.4254 500:¥29.9676	参考库存:4968
MMBT3906SL	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mA PNP Epitaxial Silicon	1:¥2.7685 10:¥1.8645 100:¥0.78422 1,000:¥0.52997 8,000:¥0.35369 24,000:查看	参考库存:347500
JANS1N5811US	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	整流器 UFR,FRR	1:¥287.924 5:¥275.0081 10:¥266.4088 25:¥244.7354	参考库存:4252