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分立半导体
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RJU003N03T106

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
3,000
¥0.49946
1498.38
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
RJU003N03
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.4 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RJU003N03
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,RJU003N03T106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥8.6106
10:¥7.3111
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100:¥1.5594
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10:¥3.6047
100:¥2.4747
500:¥1.695
参考库存:320837
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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