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分立半导体
FDG6332C-F085P参考图片

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FDG6332C-F085P

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6668
26.668
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.07576
3227.28
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
0.7 A, - 0.6 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms, 420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.6 V, - 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC, 2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.8 S, 1.8 S
下降时间
1.5 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns, 14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns, 6 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5.5 ns
商品其它信息
优势价格，FDG6332C-F085P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7172ADP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2999
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.0737
1,000:¥4.0002
3,000:¥3.729
参考库存:34043
DMTH6010LPS-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
2,500:¥3.8646
参考库存:16495
DMN6040SSS-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:28667
VS-150K20A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Volt 150 Amp
1:¥201.3208
5:¥192.2582
10:¥186.2579
25:¥171.195
参考库存:4159
SI7922DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
3,000:¥7.6727
参考库存:21371

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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