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分立半导体
DMN6040SSS-13参考图片

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DMN6040SSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
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数量单价合计
1
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3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN60
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20.1 ns
典型接通延迟时间
6.6 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
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    保证原装正品

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