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分立半导体
IRGIB10B60KD1P参考图片

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IRGIB10B60KD1P

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
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数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
500
¥14.9838
7491.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
44 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
9.02 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549794
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IRGIB10B60KD1P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR8726TRLPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:17584
RS-407L-C
Rectron
分立半导体
桥式整流器 4A 1000V
1:¥6.4523
100:¥5.5709
500:¥4.6104
1,000:¥4.068
参考库存:10641
BDP949H6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:151023
1N5400-T
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 3.0A 50V
1:¥2.6103
10:¥2.034
100:¥1.09836
1,200:¥0.82264
2,400:¥0.70738
9,600:¥0.66105
参考库存:24215
S10G-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
整流器 DIODE GP 400V 10A DO214AB
暂无价格
参考库存:48200

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    50万现货SKU

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