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分立半导体
STAC2932BW参考图片

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STAC2932BW

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
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数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
20 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244B
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC2932B
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5 s
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格,STAC2932BW的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
1:¥4.3053
10:¥3.1979
100:¥2.0114
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:15814
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/NPN high power double bipolar trans
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
1,500:¥2.1018
参考库存:10961
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose Amplification Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:72443
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED FREQ
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:92375
分立半导体
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
800:¥8.1473
参考库存:3542
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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