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分立半导体
BSZ076N06NS3 G参考图片

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BSZ076N06NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:28,350(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9212
592.12
500
¥5.2319
2615.95
5,000
¥3.6612
18306
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
39 S, 20 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ76N6NS3GXT SP000454420
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ076N06NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥987.2358
2:¥967.8789
5:¥935.6061
10:¥918.7804
参考库存:1484
分立半导体
双向可控硅 RAIL TRIAC
1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
参考库存:19681
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 600VOLT
1:¥4.1471
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.5142
3,000:¥0.95259
9,000:查看
参考库存:39528
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 225mW Dual Common Cathode
1:¥3.5369
10:¥2.6781
100:¥1.4577
1,000:¥1.09158
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:56040
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMA REG 1.5W 6.8V TR
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
5,000:¥1.8306
参考库存:23012
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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