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分立半导体
SIHB16N50C-E3参考图片

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SIHB16N50C-E3

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库存:13,152(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.946
49.946
10
¥41.4145
414.145
100
¥34.1147
3411.47
250
¥33.0412
8260.3
500
¥29.6625
14831.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
560 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
156 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB16N50C-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
参考库存:49599
分立半导体
SCR 10A 600V Sensing
1:¥12.8368
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
1,000:¥5.5144
2,500:¥5.5144
参考库存:13286
分立半导体
JFET SS SOT23 JFET XSTR SPCL
1:¥3.3787
10:¥2.5651
100:¥1.3899
1,000:¥1.04525
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.84524
参考库存:104233
分立半导体
MOSFET Nch+Nch MOS FET
1:¥11.3678
10:¥9.9892
100:¥7.91
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
3,000:¥4.859
参考库存:18740
分立半导体
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥62.4664
10:¥56.2514
25:¥51.2568
100:¥46.2622
参考库存:3047
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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