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分立半导体

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FF450R12ME3

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数量单价合计
1
¥1,353.8417
1353.8417
5
¥1,321.2638
6606.319
10
¥1,288.4486
12884.486
25
¥1,270.3912
31759.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.1 kW
封装 / 箱体
EconoDUAL-3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12ME3BOSA1 SP000317626
商品其它信息
优势价格,FF450R12ME3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW 9.7V Zener AEC-Q101 Qualified
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:35618
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
450:¥17.1308
参考库存:35623
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 400V PNP High Volt 1.5W -400VCEO -1ICM
2,500:¥0.9379
10,000:¥0.87575
参考库存:35628
分立半导体
双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 15.4A 3-Pin (3+Tab)
1:¥5.6839
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:35633
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab)
1:¥6.6105
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2939
参考库存:35638
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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