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分立半导体
IPP040N06N3GXKSA1参考图片

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IPP040N06N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2659
3632.95
1,000
¥5.7404
5740.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
G IPP040N06N3 IPP4N6N3GXK SP000680788
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP040N06N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84C56-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 56 Volt 0.35W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:29452
MMSZ4715-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:29457
MMBZ4695-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 8.7 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:29462
MMBZ5254B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.6724
100:¥0.70738
500:¥0.59212
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:29467
MMBZ5226B-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.225W 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:29472

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    50万现货SKU

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