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分立半导体
RGTH60TS65GC11参考图片

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RGTH60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥16.5997
1659.97
250
¥15.7522
3938.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
58 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH60TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
58 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH60TS65
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,RGTH60TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥122.5598
300:¥111.8813
500:¥100.7395
参考库存:35088
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥231.9777
5:¥221.5252
10:¥214.6096
25:¥197.2528
参考库存:35093
分立半导体
MOSFET 150V, 21A, 82 mOhm Automotive MOSFET
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
800:¥9.379
参考库存:35098
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥517.2123
5:¥495.4598
10:¥486.7814
25:¥456.3505
参考库存:35103
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥44.7932
10:¥35.9566
100:¥32.8152
250:¥29.5834
参考库存:35108
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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