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分立半导体
DMHC3025LSDQ-13参考图片

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DMHC3025LSDQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A, 4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms, 50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.7 nC, 11.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMHC3025
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.7 ns, 13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 4.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.5 ns, 28.2 ns
典型接通延迟时间
11.2 ns, 7.5 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，DMHC3025LSDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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3,000:¥0.94468
6,000:¥0.86106
9,000:¥0.791
24,000:¥0.77631
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JANTX2N6674
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100:¥1,252.0287
参考库存:48631
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分立半导体
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3,000:¥10.5316
6,000:¥9.6841
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12,000:¥10.8367
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Microsemi
分立半导体
稳压二极管 0TC Reference Voltage Zener
100:¥452.5085
参考库存:48646

  • 海量现货

    50万现货SKU

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