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分立半导体
BF556A,215参考图片

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BF556A,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.3223
53.223
25
¥4.8138
120.345
100
¥4.2149
421.49
3,000
¥2.2939
6881.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 30 V
Id-连续漏极电流
7 mA
最大漏极/栅极电压
- 30 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
RF JFET
类型
JFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
闸/源截止电压
- 0.5 V to - 7.5 V
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934021470215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF556A,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B39-M3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5029
12,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
参考库存:37508
3EZ68D2E3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:37513
BZG03B160-M3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5029
12,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
参考库存:37518
MPG06MHE3/100
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1000 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM
10,000:¥0.83733
24,000:¥0.7684
参考库存:37523
FF200R12KE3_B2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:37528

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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