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分立半导体
NGTB25N120FL3WG参考图片

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NGTB25N120FL3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
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库存:7,419(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.3355
43.3355
10
¥36.8041
368.041
100
¥31.8886
3188.86
250
¥30.2727
7568.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
4.083 g
商品其它信息
优势价格,NGTB25N120FL3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:119985
分立半导体
双向可控硅 600 V 1 A TO92
1:¥3.616
10:¥2.6555
100:¥1.4803
1,000:¥1.08367
参考库存:26222
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 20V 8A 770mW 95MHz
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:12739
分立半导体
稳压二极管 6.8V 200Ohms
1:¥3.616
10:¥2.6216
100:¥1.9549
500:¥1.6498
3,000:¥1.13
6,000:查看
参考库存:10041
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:66868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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