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分立半导体
NGTB25N120FL3WG参考图片

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NGTB25N120FL3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
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数量单价合计
1
¥43.3355
43.3355
10
¥36.8041
368.041
100
¥31.8886
3188.86
250
¥30.2727
7568.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
4.083 g
商品其它信息
优势价格，NGTB25N120FL3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5234C-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:26595
BZT52C3V3TQ-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode SOD523
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
参考库存:50395
TLZ30D-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:26602
GDZ11B-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:26607
MMBZ4689-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:26612

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