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分立半导体
BFS 17W H6327参考图片

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BFS 17W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.89157
89.157
1,000
¥0.68365
683.65
3,000
¥0.52206
1566.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFS17
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
25 mA
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS17WH6327XT BFS17WH6327XTSA1 SP000750450
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格，BFS 17W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N7052UR-1/TR
Microsemi
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100:¥1,175.1096
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50:¥1,298.596
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暂无价格
参考库存:34807

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