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分立半导体
BSC011N03LSIXT参考图片

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BSC011N03LSIXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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数量单价合计
5,000
¥5.7517
28758.5
10,000
¥5.5257
55257
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
6.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
零件号别名
BSC011N03LSIATMA1 SP000884574
商品其它信息
优势价格，BSC011N03LSIXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3K62TU,LF
Toshiba
分立半导体
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
1:¥3.4578
10:¥2.2826
100:¥1.2769
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
参考库存:13644
XP162A11C0PR-G
Torex Semiconductor
分立半导体
MOSFET Power MOSFET, -30V, 2.5A, P-Type, SOT-89
1:¥6.6896
10:¥5.2206
100:¥3.955
500:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:6821
FDU6N50TU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V N-Channel MOSFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0568
500:¥5.3449
参考库存:22098
PH2729-25M
MACOM
分立半导体
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,475.554
参考库存:2075
IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2
1:¥56.7034
10:¥51.2568
25:¥48.8725
100:¥42.4202
1,000:¥32.1937
2,000:查看
参考库存:20757

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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