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分立半导体
SIHD180N60E-GE3参考图片

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SIHD180N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
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库存:11,280(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.5996
3649.9
2,000
¥10.5316
21063.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
195 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6.5 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,SIHD180N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
2,500:¥0.69947
10,000:¥0.63732
参考库存:45877
分立半导体
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:28614
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
500:¥0.83733
2,500:¥0.49946
5,000:查看
参考库存:61741
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 160V 600mA NPN
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,000:¥1.11418
参考库存:10798
分立半导体
整流器 1.5 Amp 200 Volt
1:¥3.1527
10:¥2.1696
100:¥1.469
500:¥1.1752
1,000:¥0.88366
1,800:¥0.88366
参考库存:52245
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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