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VS-GB150TH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.008 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB150TH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDS5711UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器
50:¥2,035.4125
参考库存:39774
JANTX2N2907A/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
237:¥36.5781
250:¥33.0412
500:¥29.6625
1,000:¥24.973
参考库存:39779
JANTXV1N5289-1
Microsemi
分立半导体
稳流二极管 Current Regulator
100:¥295.9922
250:¥276.2398
参考库存:39784
1N6009D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
182:¥39.0302
250:¥35.6515
500:¥32.4988
1,000:¥28.4308
参考库存:39789
JANS1N4115-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥568.6951
5:¥551.4061
10:¥534.1962
25:¥510.0594
参考库存:39794

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    50万现货SKU

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