BCR 162 E6327详细信息_BCR 162 E6327相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	20
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR162
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR162E6327HTSA1 BCR162E6327XT SP000010785
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2SCR543RTL	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Isolated AC/DC Converter	1:¥4.2262 10:¥3.4691 100:¥2.1244 1,000:¥1.6385 3,000:¥1.4012	参考库存:10760
BSC046N02KS G	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2	1:¥9.9892 10:¥8.4524 100:¥6.5427 500:¥5.7856 1,000:¥4.5765 5,000:¥4.5765	参考库存:27222
MRF151G	MACOM	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB	1:¥861.0713 10:¥807.2833 25:¥788.3784 50:¥769.5526	参考库存:6604
SI7460DP-T1-E3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥16.2946 10:¥14.5205 100:¥11.6842 500:¥9.379 3,000:¥9.379	参考库存:40896
SI2318CDS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23	1:¥3.7629 10:¥2.5538 100:¥1.7289 500:¥1.3786 1,000:¥1.03734 3,000:¥1.03734	参考库存:735378