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分立半导体
SSM3K318R,LF参考图片

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SSM3K318R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal Mosfet
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3.616
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.3334
133.34
1,000
¥0.96841
968.41
3,000
¥0.83733
2511.99
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
107 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3K318
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SSM3K318R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMLTA44 TR
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12,000:¥0.52206
24,000:¥0.48364
45,000:¥0.43053
99,000:¥0.41471
参考库存:48169
MA46H202-1056T
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1,500:¥99.2027
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整流器 1A, 200V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
15,000:¥0.60681
22,500:¥0.54579
45,000:¥0.49155
97,500:¥0.45313
参考库存:48179
CMLSH05-4 TR
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3,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
参考库存:114038
PTRA093302FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥768.40
参考库存:48186

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