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分立半导体
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STW28NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-chanel 600 V 0.120 Ohm typ 24 A
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数量单价合计
1
¥46.9515
46.9515
10
¥42.4202
424.202
25
¥40.4201
1010.5025
100
¥35.1204
3512.04
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
62.5 nC
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STW28NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
23.5 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW28NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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