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分立半导体
SIHH11N65EF-T1-GE3参考图片

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SIHH11N65EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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数量单价合计
3,000
¥16.2946
48883.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
332 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
EF
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH11N65EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS138DW-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 50V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.6781
100:¥1.4577
1,000:¥1.09158
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:1716276
PSMN5R2-60YLX
Nexperia
分立半导体
MOSFET PSMN5R2-60YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥7.2998
10:¥6.215
100:¥4.7799
500:¥4.2149
1,500:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:14113
PTZTE255.6A
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER 1W 5.6V SURF.MNT.
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
1,500:¥0.9831
参考库存:7670
BZX585-C3V9,135
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:350672
BSC031N06NS3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5936
5,000:¥7.5936
参考库存:47039

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    50万现货SKU

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