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分立半导体
SIHG70N60AEF-GE3参考图片

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SIHG70N60AEF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:7,313(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥85.5184
85.5184
10
¥77.6875
776.875
25
¥71.9245
1798.1125
50
¥68.0034
3400.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
35.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
410 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
EF
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
113 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
104 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
219 ns
典型接通延迟时间
45 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG70N60AEF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:119985
分立半导体
双向可控硅 600 V 1 A TO92
1:¥3.616
10:¥2.6555
100:¥1.4803
1,000:¥1.08367
参考库存:26222
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 20V 8A 770mW 95MHz
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:12739
分立半导体
稳压二极管 6.8V 200Ohms
1:¥3.616
10:¥2.6216
100:¥1.9549
500:¥1.6498
3,000:¥1.13
6,000:查看
参考库存:10041
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:66868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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