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分立半导体
SIHG70N60AEF-GE3参考图片

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SIHG70N60AEF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥85.5184
85.5184
10
¥77.6875
776.875
25
¥71.9245
1798.1125
50
¥68.0034
3400.17
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
35.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
410 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
EF
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
113 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
104 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
219 ns
典型接通延迟时间
45 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG70N60AEF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP4065SQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
10,000:¥1.2656
参考库存:44871
PZU4.3B2,115
Nexperia
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稳压二极管 ZENER DIODE
3,000:¥0.62263
9,000:¥0.5537
24,000:¥0.52206
45,000:¥0.46104
99,000:¥0.44522
参考库存:44876
MBR1640
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A 40V
暂无价格
参考库存:44881
BZX84C15T-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150mW 15V Zener
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
参考库存:199843
AFT18S290-13SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
250:¥908.1697
参考库存:44888

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