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分立半导体
STW28N60DM2参考图片

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STW28N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥40.0359
40.0359
10
¥34.0356
340.356
100
¥29.5043
2950.43
250
¥27.9675
6991.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW28N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
-
产品类型
MOSFET
上升时间
-
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
-
典型接通延迟时间
-
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW28N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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45,000:¥0.15368
参考库存:35197
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