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分立半导体
SQJ990EP-T1_GE3参考图片

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SQJ990EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3393
633.93
500
¥5.4579
2728.95
1,000
¥4.3053
4305.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
17 A, 34 A
Rds On-漏源导通电阻
32.5 mOhms, 15.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S, 34 S
下降时间
21 ns, 22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ990EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP4N80
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
1,000:¥5.7065
参考库存:6695
IGP15N60T
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
参考库存:3197
RB551VM-30TE-17
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 30V 0.5A
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
9,000:¥0.44522
参考库存:59629
STTH5R06FP
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 5.0 Amp 600 Volt
1:¥7.91
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:9571
VB20200G-E3/8W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual 110 Amp IFSM
1:¥12.1362
10:¥10.0683
100:¥7.8422
500:¥6.8252
800:¥5.65
参考库存:3343

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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