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分立半导体
IGW50N60TPXKSA1参考图片

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IGW50N60TPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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数量单价合计
1
¥34.8831
34.8831
10
¥29.6625
296.625
100
¥25.6623
2566.23
250
¥24.3628
6090.7
500
¥21.8203
10910.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60TP SP001379668
单位重量
6.056 g
商品其它信息
优势价格，IGW50N60TPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXM61P02FTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
1:¥3.4578
10:¥2.6781
100:¥1.4577
1,000:¥1.09158
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:302592
MMSZ5232C-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:452219
BTA316-800C,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
1:¥8.6784
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:24326
S1GHE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A 400V 40A@8.3ms Single Die Auto
1:¥3.7629
10:¥2.1018
100:¥1.12209
500:¥0.89948
7,500:¥0.46895
22,500:查看
参考库存:398013
BZT03C30-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 600W 6%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
5,000:¥1.6724
10,000:查看
参考库存:71570

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    50万现货SKU

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