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分立半导体
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DMN53D0U-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
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数量单价合计
1
¥2.3843
2.3843
10
¥1.6611
16.611
100
¥0.69156
69.156
1,000
¥0.47686
476.86
3,000
¥0.36838
1105.14
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
0.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMN53D0U-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5553
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参考库存:36330

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