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分立半导体
SCTH90N65G2V-7参考图片

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SCTH90N65G2V-7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-7 package
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V to 22 V
Qg-栅极电荷
157 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SCTH90N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格,SCTH90N65G2V-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:6878
分立半导体
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 30A 600V IGBT
1:¥186.8003
5:¥184.8793
10:¥172.2798
25:¥164.5958
参考库存:3615
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥75.5292
10:¥68.0034
25:¥61.9353
100:¥55.935
参考库存:5942
分立半导体
MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:7704
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥50.7935
10:¥45.9458
25:¥43.7988
100:¥38.0358
参考库存:7681
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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