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分立半导体
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ZXMN15A27KTC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL
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2,500
¥2.3391
5847.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
ZXMN15
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
2.8 S
下降时间
13.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.1 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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