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分立半导体
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BCP5510TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
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1
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3.0736
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
2,000
¥0.66105
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCP55
直流电流增益 hFE 最大值
160
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
63
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，BCP5510TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4371DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥139.1595
250:¥126.8651
500:¥118.6387
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SET100123
Semtech
分立半导体
整流器 A 1PHHW 90A SFST 500V
10:¥1,121.5589
25:¥1,106.6542
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FS150R17KE3G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE
4:¥2,771.1555
8:¥2,604.1076
参考库存:27197
JANTXV1N759D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
141:¥102.5023
250:¥93.4397
500:¥87.4394
1,000:¥80.2187
参考库存:27202
JANTX1N967CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥89.9028
200:¥81.9928
500:¥76.6818
1,000:¥70.3086
参考库存:27207

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