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分立半导体
CSD86356Q5DT参考图片

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CSD86356Q5DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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库存:5,120(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥14.5205
1452.05
250
¥14.5205
3630.125
500
¥12.6786
6339.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD86356Q5D
晶体管类型
PowerBlock
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,CSD86356Q5DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 240A 1.2mOhm 160nC Qg
1:¥30.0467
10:¥25.5154
100:¥22.1254
250:¥20.9728
800:¥15.8313
2,400:查看
参考库存:16336
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
4,000:¥3.1753
参考库存:26488
分立半导体
整流器 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier
1:¥4.3844
10:¥2.4747
100:¥1.3334
500:¥1.05994
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:41380
分立半导体
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.3626
250:¥19.2891
参考库存:4082
分立半导体
双向可控硅 12 Amp 600 Volt
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:13894
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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