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分立半导体
STFU13N65M2参考图片

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STFU13N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
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库存：8,669(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.2099
172.099
100
¥13.7521
1375.21
500
¥12.0684
6034.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
系列
STFU13N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STFU13N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBT3904PNH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:66162
JANTX1N1190
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥566.3899
5:¥542.5695
10:¥533.0436
25:¥499.686
参考库存:2399
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:15211
2SCR543DTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 4A
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:13283
BCR 185S H6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:23520

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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