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分立半导体
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BC847BW-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
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10
¥1.356
13.56
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32318
323.18
3,000
¥0.24634
739.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
600 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC847B
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，BC847BW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHH24N65EF-T1-GE3
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