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分立半导体
DTA123JM3T5G参考图片

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DTA123JM3T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
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库存：82,691(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.3052
2.3052
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
8,000
¥0.29154
2332.32
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
2.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
260 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DTA123J
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
0.5 mm
长度
1.2 mm
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，DTA123JM3T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B33-M3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5029
12,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
参考库存:49221
MMRF1006HSR5
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:49226
BZX84C22S-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200mW 22V Dual Zener
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:49231
AFT26H200W03SR6
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
150:¥892.8808
参考库存:49236
BAS40,235
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTKY TAPE-11
10,000:¥0.27685
20,000:¥0.26103
50,000:¥0.24634
100,000:¥0.2147
参考库存:49241

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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