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分立半导体
STGP30H60DFB参考图片

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STGP30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP30H60DFB
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGP30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5925B/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥24.2046
295:¥24.2046
500:¥21.7412
1,000:¥18.2834
2,500:¥17.4472
参考库存:29949
1N5349/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:29954
CDLL5295
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Current Limiter Diode
100:¥160.5165
250:¥147.4537
500:¥135.8486
参考库存:29959
JAN2N6059
Microsemi
分立半导体
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥504.9179
5:¥483.7078
10:¥475.1763
25:¥445.5138
参考库存:29964
JANTX2N3501L
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥105.1126
10:¥95.5076
25:¥88.366
50:¥83.5974
参考库存:29969

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    50万现货SKU

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