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分立半导体
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STGP30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP30H60DFB
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGP30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTTFS4929NTAG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
1,500:¥1.8758
参考库存:402353
NGB8207BNT4G
Littelfuse
分立半导体
IGBT 晶体管 365V 20A IGBT
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8365
800:¥6.0003
参考库存:29500
MBRB1090-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 90 Volt 150 Amp IFSM
1:¥10.9158
10:¥8.9948
100:¥6.8591
500:¥5.8986
参考库存:29505
1N4947GP-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.0 Amp 800 Volt
1:¥3.5369
10:¥2.0679
100:¥1.2091
500:¥0.97632
5,500:¥0.62263
11,000:查看
参考库存:29510
BUK6Y20-30PX
Nexperia
分立半导体
MOSFET BUK6Y20-30P/SOT669/LFPAK
1,500:¥2.9945
3,000:¥2.6555
10,500:¥2.5538
25,500:¥2.486
参考库存:29515

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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