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分立半导体
FDS4435BZ-F085参考图片

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FDS4435BZ-F085

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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.328
63.28
100
¥4.859
485.9
500
¥4.294
2147
2,500
¥3.0058
7514.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.8 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS4435BZ_F085
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FDS4435BZ_F085
单位重量
230.400 mg
商品其它信息
优势价格,FDS4435BZ-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Isolated AC/DC Converter
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:10760
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MOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5765
5,000:¥4.5765
参考库存:27222
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
1:¥861.0713
10:¥807.2833
25:¥788.3784
50:¥769.5526
参考库存:6604
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.2946
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥9.379
3,000:¥9.379
参考库存:40896
分立半导体
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥3.7629
10:¥2.5538
100:¥1.7289
500:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥1.03734
参考库存:735378
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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